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个行图3展示了QDs薄膜在ZnBr2钝化前后发射特性的变化情况。QDs薄膜致密均匀（AFM图像，辛苦图2d和2e），说明OIHL钝化并没有退化QD薄膜的平整度，这种均匀致密的薄膜对于高性能光电器件的构筑是至关重要的。

为了分析钝化前后QDs表面的配体变化，槛低对QDs进行表面Pb 4fXPS（图1f）和高分辨XPS（图1e）光谱分析，高分辨XPS谱揭示了钝化后Zn元素的出现。报高上述结果以Organic-InorganicHybridPassivationEnablesPerovskiteQLEDswithanEQEof16.48%为题发表于Adv. Mater.。【相关优质文献推荐】重点实验室量子点发光器件代表作QuantumDotLight-emittingDiodesbasedonInorganicPerovskiteCesiumLeadHalides(CsPbX3),Adv.Mater.2015,27,7162.Citationtimes=7002.50-foldEQEImprovementupto6.27%ofSolution-processedAll-inorganicPerovskiteCsPbBr₃QLEDsviaSurfaceLigandDensityControl,Adv.Mater.2017,29,1603885.Citationtimes=300Room‐TemperatureTriple‐LigandSurfaceEngineeringSynergisticallyBoostsInkStability,RecombinationDynamics,andChargeInjectiontowardEQE‐11.6%PerovskiteQLEDs,Adv.Mater.201830,1800764.Citationtimes=205.Organic–InorganicHybridPassivationEnablesPerovskiteQLEDswithanEQEof16.48%,Mater.2018,DOI:https://doi.org/10.1002/adma.201805409.本文由南京理工大学宋继中教授和曾海波教授团队供稿，早餐资少材料人编辑部编辑。

个行(b) 不同金属溴化物钝化QDs薄膜的PLQY。该策略能够有效减少QD的表面缺陷位点，辛苦抑制非辐射复合，保证高效发光特性。

进而，槛低在钝化过程中，引入无机金属溴化盐（ZnBr2、MnBr2、InBr3或GaBr3等）来调控其表面态，在QD表面形成有机-无机杂化配体（OIHL）。

【引言】作为近几年发光显示领域最具竞争力的材料之一，报高钙钛矿量子点（QDs）已然成为炙手可热的明星材料，报高钙钛矿量子点发光二极管（QLED）在短短几年内已经取得了里程碑式的发展，其红光QLED的外量子效率（EQE）目前已经达到20%，与传统镉基QLED的效率（EQE20%）基本持平。，早餐资少α0.05vs纳米三脚架

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